博士前期課程1年の安田さんの研究論文が，応用物理学会 英文論文誌 JJAP（Japanese Journal of Applied Physics, Special issue: Solid-State Devices and Materials（SSDM2025））に掲載決定いたしました．本研究では，サブ30-mVの極低電圧動作に向けたリカーシブスタッキングボディバイアスインバータ（RS-BBI: Recursive stacking body-bias inverter）において，フィードバック方式（FB-BB）とフィードフォワード方式（FF-BB）のボディバイアス（BB）技術を用いたインバータ回路の比較評価を行いました．両者は最小動作電圧・出力振幅・消費電力で同等の性能を示す一方，FF-BB方式はより高い発振周波数を実現することができること，またFF-BB方式は高速性に優れるのに対し，FB-BB方式は高電圧領域での利得や電源変動耐性に優れ，低周波設計にも有利であることを明らかにしました．
- Y. Yasuda, S. Sumi, D. Kanemoto, T. Hirose, “Comparative Study of Recursive Stacking Feedforward/Feedback Body-Bias Inverters for Extremely Low-Voltage Ring Oscillators,” Jpn. J. Appl. Phys. , 2026.