大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 廣瀬研究室
Hirose Lab., Div. of EEI Eng., Grad. School of Eng., The University of Osaka
令和8年9月25日，大阪大学銀杏会館にて，大阪大学大学院工学研究科博士学位記授与式が開催されました．当研究室の松本 香さんが，工学研究科の大政研究科長より博士（工学）の学位記を授与されました．松本さんは社会人博士として当研究室に所属し，限られた研究活動時間の中で精力的に研究に取り組まれ，大きな研究成果を挙げられました．その成果が実を結び，このたび博士（工学）の学位取得に至りました．
博士学位論文：
光エネルギーハーベスティングを用いた超小型IoTデバイスの自立電源回路技術に関する研究
（2026年7月）
学位授与式には，ご主人をはじめ，お子様も参加され，アカデミックガウンを着用された松本さんの晴れ姿を一緒にお祝いされていました．
松本さんの今後ますますのご活躍を祈念いたします．博士学位取得，誠におめでとうございます！
固体素子と材料分野に関する国際会議SSDM（Solid-State Devices and Materials）2026が9月14日-17日にかけて長崎出島メッセにて開催されました．廣瀬研究室からは博士後期課程の三木さんと博士前期課程の松本さんが参加し，それぞれ研究成果を発表いたしました．三木さんはバンドギャップリファレンスの省面積化手法を，松本さんは温度センサの一種である温度スイッチ回路技術を提案いたしました．三木さんは，低消費電力で動作するバンドギャップリファレンス回路で使用する抵抗を省面積で実現する手法を提案し，LSIチップでその動作を実証しました．松本さんは，しきい温度で状態を0から1に変化させる温度スイッチ回路を実現しました．シミュレーション評価とともに，速報値としての評価結果を議論し，新しい温度センサ回路技術を提案しました．
International Conference on Solid State Devices and Materials（SSDM）で2件の研究成果発表を行います．SSDMは，応用物理学会（JSAP: Japan Society of Applied Physics）が主催する半導体やナノデバイスに関する歴史あるフラッグシップ国際会議です．本会議は，2026年9月14日～17日に長崎・出島メッセ長崎で開催されます．当研究室からは，博士後期課程の三木さんと博士前期課程の松本さんが，それぞれバンドギャップリファレンス回路技術と温度スイッチセンサ回路技術に関する発表を行います．
SSDMはこちら：SSDM
博士後期課程3年のLiさんが，IEEE International Symposium on Circuits and Systems（ISCAS 2026）にて，最新の研究成果を発表しました．ISCAS 2026はIEEE Circuits and Systems Society（CASS）のフラッグシップ会議であり，2026年5月24日から27日にかけてShanghai International Convention Center（Shanghai, China）で開催されました．Liさんは，極めて低い電圧で動作するパルス電圧ダブラ（Pulse voltage doubler / bootstrap circuit）を提案しました．267-mVの低電圧から動作し，122-nsの高速に立ち下がる2倍電圧パルス生成回路を実現しました．
J. Li, N. Kurisu, D. Kanemoto, T. Hirose, “A 267-mV input and 122-ns fall time, pre-charged cross-coupled pulse voltage doubler for low-voltage thermoelectric energy harvesting,” in Proc. International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) 2026, May. 24-27, 2026.
CASSのリンクはこちら：CASS
ISCAS 2026へのリンクはこちら：ISCAS 2026
博士後期課程2年の鷲見真太郎さんが、電子情報通信学会集積回路研究会 若手研究会 優秀ポスター賞を受賞しました．本賞は，2025年度に開催された若手研究会におけるポスター発表が高く評価されたもので、5月13－14日にかけて東京大学d.lab-VDEC（武田先端知ビル）にて開催されたLSIとシステムのワークショップ2026において表彰されたものです．研究室で提案している極低電圧デジタル回路技術を活用したフリップフロップの応用回路を検討を検討したものです．従来技術では困難であった、50 mV以下の極めて低い電圧で動作するフリップフロップ回路とその応用回路を議論したものです．
電子情報通信学会（IEICE）集積回路研究会（ICD）はこちら：ICD
LSIとシステムのワークショップ2026はこちら：LSI&Syst. WS 2026
電子情報通信学会英文論文誌（エレクトロニクス分野：C）アナログ特集号（Special section on Analog Circuits and Their Application Technologies）に 廣瀬 教授の招待論文が掲載決定いたしました．廣瀬研究室で推進している先進的な挑戦，すなわち極めて低い電圧で動作するCMOS集積回路技術をまとめたものです．50 mV以下の極めて低い電圧で動作する集積回路技術，特にCMOSインバータ回路，インバータから構成されるリング発振器，NANDゲート，そしてDFFの構成法を大局的にまとめた論文です．従来の回路設計技術では困難であった極低電圧回路技術を紹介するものです．次世代集積回路技術の可能性を拓く挑戦的開拓研究を議論しています．
Tetsuya Hirose, “Ultra-Low-Voltage CMOS Circuit Design Enabling Sub-50-mV Operation,” IEICE Trans. Electron., vol. E109-C, no. 10, pp. , 2026. [doi]
兼本 大輔 准教授は，このたび本学を退職し，東京理科大学 工学部電気工学科に異動されました．2019年6月以降，当研究室において学務ならびに研究・教育活動に幅広くご尽力いただきました．これまでのご貢献に心より感謝申し上げるとともに，今後のさらなるご活躍をお祈り申し上げます．なお，兼本准教授には，今後も招へい准教授として本研究室にご参画いただき，学生指導および研究・教育活動にご協力いただく予定です．
博士前期課程2年の松森さんの研究論文が，応用物理学会 英文論文誌 JJAP（Japanese Journal of Applied Physics, Special issue: Solid-State Devices and Materials（SSDM2025））に掲載決定いたしました．本研究では，膜型表面応力センサに向けた読み出し回路を提案したものです．センサ信号を周波数信号に変換する従来手法では，コンパレータの非理想要因により周波数特性が劣化する課題がありました．本研究ではこの問題を解決するアーキテクチャを提案し，その特性を評価しました．コンパレータのバイアス電流やばらつきに対して安定に動作することを確認しました．
T. Matsumori, H. Sebe, D. Kanemoto, T. Hirose, “CMOS Readout Circuit with Delay and Offset Voltage Compensation for Membrane-Type Surface-Stress Sensors,” Jpn. J. Appl. Phys. , 2026.
博士前期課程1年の安田さんの研究論文が，応用物理学会 英文論文誌 JJAP（Japanese Journal of Applied Physics, Special issue: Solid-State Devices and Materials（SSDM2025））に掲載決定いたしました．本研究では，サブ30-mVの極低電圧動作に向けたリカーシブスタッキングボディバイアスインバータ（RS-BBI: Recursive stacking body-bias inverter）において，フィードバック方式（FB-BB）とフィードフォワード方式（FF-BB）のボディバイアス（BB）技術を用いたインバータ回路の比較評価を行いました．両者は最小動作電圧・出力振幅・消費電力で同等の性能を示す一方，FF-BB方式はより高い発振周波数を実現することができること，またFF-BB方式は高速性に優れるのに対し，FB-BB方式は高電圧領域での利得や電源変動耐性に優れ，低周波設計にも有利であることを明らかにしました．
博士後期課程の瀬部さんと鷲見さんの研究成果が，電子情報通信学会英文論文誌に採録決定いたしました．瀬部さんは極めて低い電圧で動作するCMOSインバータ回路の構成法を提案し，30 mVの極低電圧で動作するリング発振回路を提案しました．理論的考察に加え，回路シミュレーションやLSIチップの試作評価を通じて，その有効性を明らかにしました．鷲見さんは，極めて低い電圧で動作する否定論理積（NAND）ゲート回路を用いて極低電圧Dフリップフロップ回路（DFF）を提案しました．順序回路の基本構成であるDFFにより，極めて低い電圧で様々な論理演算を実現することができます．詳細な回路シミュレーション，ばらつき耐性評価，そしてLSIチップの試作評価を通じて，その特性を明らかにしました．特に，50 ｍVを下回る極低電圧での回路特性を確認しました．