次々世代のパワーデバイスや高周波デバイスとして期待されるダイヤモンド電子デバイスの実現にはホモエピタキシャルCVD薄膜の更なる高品質化が不可欠です。従来は、主としてカソードルミネセンスやフォトルミネセンスにより、ダイヤモンド中の発光過程を探求することにより、その高品質化に必要な要因を明らかにしてきました。しかし、CVDダイヤモンド膜の高品質化が進展すると、従来の発光過程に基づく欠陥評価法では検出できない非発光欠陥の評価やその制御が重要になってきています。そこでワイドギャップ半導体の非発光欠陥評価に適切な評価システムの開発を行うとともに、そのような評価を通してCVDダイヤモンド薄膜の更なる高品質化に関わる主要因子探索を行っています。
