カテゴリー: 国際会議

固体素子と材料分野に関する国際会議SSDM（Solid-State Devices and Materials）2026が9月14日-17日にかけて長崎出島メッセにて開催されました．廣瀬研究室からは博士後期課程の三木さんと博士前期課程の松本さんが参加し，それぞれ研究成果を発表いたしました．三木さんはバンドギャップリファレンスの省面積化手法を，松本さんは温度センサの一種である温度スイッチ回路技術を提案いたしました．三木さんは，低消費電力で動作するバンドギャップリファレンス回路で使用する抵抗を省面積で実現する手法を提案し，LSIチップでその動作を実証しました．松本さんは，しきい温度で状態を0から1に変化させる温度スイッチ回路を実現しました．シミュレーション評価とともに，速報値としての評価結果を議論し，新しい温度センサ回路技術を提案しました．

• K. Miki, Y. Itotagawa, D. Kanemoto, and T. Hirose, “A 0.132-mm2, 104‑nW CMOS current‑mode bandgap reference circuit using resistance‑reduced CTAT current generation,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 2026.
• Y. Matsumoto and T. Hirose, “Programmable temperature switch with wide-range threshold control,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 2026.

International Conference on Solid State Devices and Materials（SSDM）で2件の研究成果発表を行います．SSDMは，応用物理学会（JSAP: Japan Society of Applied Physics）が主催する半導体やナノデバイスに関する歴史あるフラッグシップ国際会議です．本会議は，2026年9月14日～17日に長崎・出島メッセ長崎で開催されます．当研究室からは，博士後期課程の三木さんと博士前期課程の松本さんが，それぞれバンドギャップリファレンス回路技術と温度スイッチセンサ回路技術に関する発表を行います．

• K. Miki, Y. Itotagawa, D. Kanemoto, and T. Hirose, “A 0.132-mm2, 104‑nW CMOS current‑mode bandgap reference circuit using resistance‑reduced CTAT current generation,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 2026.
• Y. Matsumoto and T. Hirose, “Programmable temperature switch with wide-range threshold control,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 2026.

SSDMはこちら：SSDM

博士後期課程3年のLiさんが，IEEE International Symposium on Circuits and Systems（ISCAS 2026）にて，最新の研究成果を発表しました．ISCAS 2026はIEEE Circuits and Systems Society（CASS）のフラッグシップ会議であり，2026年5月24日から27日にかけてShanghai International Convention Center（Shanghai, China）で開催されました．Liさんは，極めて低い電圧で動作するパルス電圧ダブラ（Pulse voltage doubler / bootstrap circuit）を提案しました．267-mVの低電圧から動作し，122-nsの高速に立ち下がる2倍電圧パルス生成回路を実現しました．

J. Li, N. Kurisu, D. Kanemoto, T. Hirose, “A 267-mV input and 122-ns fall time, pre-charged cross-coupled pulse voltage doubler for low-voltage thermoelectric energy harvesting,” in Proc. International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) 2026, May. 24-27, 2026.

CASSのリンクはこちら：CASS
ISCAS 2026へのリンクはこちら：ISCAS 2026

半導体集積回路設計分野の世界最大の国際会議ISSCC（International Solid-State Circuits Conference＠Marriott San Francisco Marquis）にて研究成果発表を行いました．大阪大学，国立研究開発法人物質・材料研究機構（NIMS），南カリフォルニア大学の共同研究論文であり，マルチモーダルガスセンサに関する研究成果発表です．様々なガス成分を小型・集積化したシステムにより検出することに成功しました．

K. Naruse, N. Kato, T. Matsumori, J. Shiomi, Y. Midoh, T. Hirose, G. Imamura, G. Yoshikawa, C. Sideris, N. Miura, “A 3.5×3.5mm2 1.47mW/ch 16-Channel MSS-CMOS Heterogeneous Multi-Modal-Gas-Sensor Chip Stack,” 2025 IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC), San Francisco, CA, USA, 2025, pp. 348 – 349.

ISSCC 2025はこちら：ISSCC 2025

姫路市文化コンベンションセンター（アクリエひめじ）で開催される国際会議 SSDM (Solid State Devices and Materials) 2024（2024年9月1日～4日）にて，博士後期課程2年のLi Jingboさんの研究論文の口頭発表（9月4日）が決定いたしました．低消費電力で動作し，幅広い負荷電流範囲に対応したキャパシタレスレギュレータ（Capacitor-less LDO）に関する論文です．オフチップキャパシタを不要としたコンパクトな回路構成でレギュレータ回路を実現しています．本発表では，回路シミュレーション及びチップ試作評価を通じて提案回路の有効性を議論します！

• J. Li, Y. Mizuno, H. Sebe, S. Sumi, D. Kanemoto, T. Hirose, “Ultra-low quiescent current capacitor-less low-dropout linear regulator with enhanced load-transient response,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 1-4, 2024.

SSDM 2024 はこちら：SSDM 2024

IEEE 42nd International Conference on Consumer Electronics (ICCE 2024) にて論文発表を行いました．ICCE 2024は2024年1月5日から8日にかけてLas Vegas, Nevada, USAで開催され，廣瀬研から津永さん(1月７日)， 宮田さん(1月８日)が発表を行いました．宮田さんは口頭発表を行い，津永さんはポスター発表を行いました．

• T. Miyata, D. Kanemoto, and T. Hirose，”Utilizing Previously Acquired BSBL Algorithm Parameters in the Compressed Sensing Framework for EEG Measurements,” in Proc. IEEE Int. Conf. Consum. Electron. (ICCE), Jan. 2024, pp.1-4.
• R. Tsunaga, D. Kanemoto, and T. Hirose，”Noise-Masking Cryptosystem Using Watermark and Chain Generation for EEG Measurement with Compressed Sensing,” in Proc. IEEE Int. Conf. Consum. Electron. (ICCE), Jan. 2024, pp.1-5.

IEEE 49th European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC) ＠Lisbon にて，博士後期課程2年の瀬部さんが研究成果の発表を行いました．従来の半導体集積回路では実現が極めて困難であった，極めて低い電源電圧である “30 mV” で発振するリング発振回路を提案しました．机上計算・シミュレーション評価での理論的な解析のみならず，実デバイスでの実証を行っており，セッション会場は少々異様な雰囲気となりました．活発な質疑応答がなされ，注目度の高い研究成果発表となりました．

H. Sebe, T. Okumura, S. Sumi, D. Kanemoto, P. -H. Chen, T. Hirose, “Sub-30-mV-Supply, Fully Integrated Ring Oscillator Consisting of Recursive Stacking Body-Bias Inverters for Extremely Low-Voltage Energy Harvesting,” Proceedings of the 49th European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC), pp. 325-328, Lisbon, Portugal, Sep. 11-14, 2023.

なお，ESSCIRCは，ヨーロッパにおける集積回路系のフラッグシップ会議（今年で49回目）です．来年度から，同時開催されているESSDERC（デバイス系会議（今年で53回目））と合併し，ESSERCとして開催されることになりました．

ESSCIRC 2023の詳細はこちら：ESSCIRC 2023

International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2023にて論文発表を行いました．SSDMは2023年9月5日から8日かけて開催され，9月7日に廣瀬研から三井さん，水野さん，鷲見さんが発表を行いました．三井さんは口頭発表とポスター発表を行い，水野さん，鷲見さんはポスター発表を行いました．

• K. Mii, D. Kanemoto, and T. Hirose, “Low Quiescent Current LDO with FVF-Based PSRR Enhanced Circuit for EEG Recording Wearable Devices,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), J-3-04, Sep. 2023.
• Y. Mizuno, H. Sebe, D. Kanemoto, and T. Hirose, “An Ultra-Low Power Low-Dropout Regulator with a Load Current Tracking Bias Current Generator,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), PS-12-03, Sep. 2023.
• S. Sumi, H. Sebe, D. Kanemoto, and T. Hirose, “A sub-50-mV supply, recursive stacking body bias NAND gate for extremely low-voltage energy harvesting,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), PS-12-04, Sep. 2023.
• K. Mii, D. Kanemoto, and T. Hirose, “Low Quiescent Current Capacitively-coupled Chopper Instrumentation Amplifier in EEG Recording Wearable Devices for Compressed Sensing Framework,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), PS-12-06, Sep. 2023.

国際会議 International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM) 2023に，三井さん，水野さん，鷲見さんの論文が採択されました．

• K. Mii, D. Kanemoto, and T. Hirose, “Low Quiescent Current Capacitively-coupled Chopper Instrumentation Amplifier in EEG Recording Wearable Devices for Compressed Sensing Framework,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 2023.
• K. Mii, D. Kanemoto, and T. Hirose, “Low Quiescent Current LDO with FVF-Based PSRR Enhanced Circuit for EEG Recording Wearable Devices,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 2023.
• Y. Mizuno, H. Sebe, D. Kanemoto, and T. Hirose, “An Ultra-Low Power Low-Dropout Regulator with a Load Current Tracking Bias Current Generator,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 2023.
• S. Sumi, H. Sebe, D. Kanemoto, and T. Hirose, “A sub-50-mV supply, recursive stacking body bias NAND gate for extremely low-voltage energy harvesting,” in Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep. 2023.